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第1260章（第1页）

历史上最早实现3n实验室测试的是比利时微电子研究中心，时间是2018年，大风集团早了一年。

而孟谦做的最重要的一件事情依然是给了大家一个坚定的方向，这就减少了很多走弯路的时间。

芯片第一次被大众认为到了极限，是22n的时候，当时突破这一极限靠的就是3d晶体管结构的出现，也就是当时大风半导体一举在半导体市场名声大噪的时候。

而芯片的第二个大众认为的极限就5n，一个隧穿效应被传的几乎人尽皆知，以至于2016年的时候出现了只要在网上说一句芯片能突破5n就会被一群人用隧穿效应来怼的情形，虽然这里面大部分人应该都不知道隧穿效应到底是啥。

直到台积电确认了3n的突破，那些人才终于闭麦，事实上隧穿效应是真的，不管是22n的极限和5n的极限论也都是真的，前提是结构不变。

22n的突破靠的是结构的突破，5n的突破同样靠的是结构的突破，某种意义上来说3n其实是指晶体管密度等同于3n线宽时可以达到的极限而实现3n的等效结果，并不是真正意义上的3n线宽。

曾经的台积电是这样，现在的大风半导体也是这样。

但是因为能实现同等效果，那就称其为3n处理器，硬要说，也没毛病。

所以当整个行业在纠结22n怎么突破的时候，孟谦坚定的让员工去搞3d晶体管。

同理，当行业在讨论5n之后是不是要用新材料的时候，孟谦告诉员工们材料研发当然要做，所以包括纳米片，纳米线，高迁移率通道，碳纳米管等都在进行实验。

同时，继续突破结构是另一条必走的路。

因为坚定的投入和坚定的研发，自然就能走的比别人快一些。

梁梦松在现场提出了一个全新的概念，3d复合结构。

孟谦因为2020年前挂了所以并没看到台积电的3n详解，但大风半导体的3n路线跟台积电的3n还挺相似，这可能是大风半导体坚持ffet晶体管这条路线的必然走势。

所谓的3d复合结构，其实就是一个综合封装技术，在原本就很挤的空间里再腾出一点地方来。

当然，说起来真的很简单，但实现起来非常困难。

而在最后的大风半导体新蓝图展示中，梁梦松告诉大家，3d复合结构可以把芯片工艺推进到1n，大风集团的计划是在2025年搞定1n的量产。

到这，大家觉得今天大风半导体的戏份总该结束，因为真的够震撼了，可事实是还没完。

“为了进一步保障我们接下去的半导体发展蓝图，我要邀请我们另外一名同事上台，他就是，威尼克。”

威尼克？

这又是一个让人震惊的画面，阿斯麦的前ceo突然出现在了大风全球开发者的舞台上。

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