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第1016章（第1页）

不过，临行之前，他还是得去见一见秦海，向秦海索要自己此行的“报酬”。

第六百二十九章igbt是大市场

周林磊跑到安河来给红泽电机厂当临时总工，还帮着秦海唱了出戏坑了刘序平，全都是因为秦海答应替他解决有关航母弹射器的有关技术问题。现在他该干的事情都已经干完了，也到要求秦海给予回报的时候了。

“秦总，我一个堂堂的航母工程师，跑来给你们这样一家小电机厂跑龙套，你这个当董事长的，怎么也得表示表示吧？”周林磊努力装出一副很有江湖经验的样子，向秦海说道。不过，他那微微有些涨红的脸暴露了他的真相，这老爷子其实真的不擅长于搞这种讨价还价的把戏。

“周工说得极是。”秦海忍着笑说道，“为了感谢周工给我们帮的这些忙，我们集团特地准备了一些安河的土特产，等周工走的时候，我会安排人给你送到机场去，帮你办好托运，绝对不用周工费什么力气。”

“土特产？”周林磊连连摆手，“这个我可不要。”

“怎么，周工是要现金吗？哎呀，这个我们财务上有点不太方便操作，要不我让会计再想想办法？”秦海假意地皱着眉头道，其实这有什么困难的，只是秦海知道周林磊是绝对不可能接受现金酬劳的，就算秦海想给，周林磊也不会要，所以他才故意这样说。

果然，周林磊听到现金二字，更加窘了，脸都变成了酱紫色：“小秦，你可千万别这样做，我是受冀老的指示来给你们帮忙的，这也是我的本职工作，如果拿了你们钱，那就是犯纪律了，这是绝对不允许的事情！”

“你不要土特产，又不要现金，那周工刚才说表示表示，是什么意思呢？我怎么不太明白啊。”秦海说道。

周林磊讷讷地说道：“这个不是很明白的事情吗……你在冀老那里可答应过我不少事情，现在你的问题解决了，是不是也该考虑一下怎么帮我们部队解决问题了。”

“哈哈，原来是这事，周工你早这样说，不就得了？”秦海哈哈笑着说道。

“你个小秦，我就知道你肯定能听懂，你就是故意逗我这个老头子，对不对？”周林磊佯装恼火地斥道，他今年50多岁，在秦海面前倒也能够自称是老头子了。当年不时兴扮嫩，大家都是以老为荣的。

秦海知道周林磊是个老实人，一门心思都放在他的航母事业上，于是也不便再装傻了。他点点头说道：“周工，你放心吧，我前几天一回到安河，就已经开始安排这件事了。我了解过了，石墨润滑材料的研究，现在已经有了很大的突破，预计一年之内就能够见到工业化生产的成品了。超级电容的研究工作，现在已经安排了一个团队。超导研究是京城大学超导研究中心在搞，在京城的时候，我和陈宗则教授谈过，他很有信心。至于稀土永磁材料……”

“这个我已经和孙玉智老师交流过了，他现在手头正在搞的铈基永磁材料，的确非常有潜力，我对此非常有信心。”周林磊替秦海回答道。

秦海道：“是的，我也和孙教授谈过了，他说他已经明白你的需求，而且会很快把精力转移到这方面来。”

“这可太好了！”周林磊脸上乐开了花，“这么多难题，我可是一筹莫展，想不到在小秦你们这里都能够迎刃而解，难怪冀老那么看重你。”

“呵呵，周工，你还没问完呢，igbt的问题，你就不关心了吗？”秦海问道。

“igbt……”周林磊摇了摇头，“这个难度有点大了，都压到你小秦身上，我都有些于心不忍了。你不知道，那次和你在冀老那里聊过之后，我给研究院打了一个报告，提出在国外采购一部分igbt元件，研究院已经把这份报告报到科工委那里去了。igbt的技术，我们最终肯定是要掌握的，但短期内，通过采购来弥补技术上的不足，还是可行的。”

所谓igbt，是“绝缘栅双极型功率管”的简称，用最简单的话来说，它就是一种大功率的电子开关，通过控制栅极上的电压，可以实现导通和关断的转换。与机械式的开关相比，电子开关的响应速度可以高达每秒几十万次，而且不会有因为反复开关而损坏的担忧。收音机里的三极管也是一种电子开关，igbt可以被视为一种特殊的三极管，其特点在于耐压更高、电流更大、速度更快以及可靠性更好等等。

igbt的概念最早是在70年代末提出来的，80年代初由美国公司和rca公司分别研制成功。从1986年起，igbt开始得到正式生产并逐渐形成了系列化。在随后这些年，igbt的技术不断更新，1988年出现的是第一代，称为平面穿透型；1990年出现了第二代，为改进的平面穿透型；1992年为第三代，即沟槽型；1997年出现了第四代，称为非穿透型；2001年出现了电场截止型；2003年出现了沟槽型电场截止型……

半导体厂商们在igbt技术上不断推陈出新，是有其原因的，那就是igbt的使用范围十分广泛。大到轨道交通、航空航天、电力、石油等国民经济支柱部门，小到变频家电、数码相机、电磁炉等消费电子产品，统统都能够找到igbt的身影。这样庞大的市场，自然能够引得无数天下英雄竞折腰。

然而，要掌握igbt的制造技术，也并非易事。igbt是一种工作原理非常复杂的器件，几乎集成了所有半导体器件的基本结构。要制造出满足要求的igbt器件，涉及到光刻、氧化、离子注入、热扩散、淀积多晶硅等一系列的微电子制造工艺。为了降低导通电阻，工程师们不断降低单元胞的尺度、增加并联的元胞数量，为此，igbt的制造工艺规则从5微米下降到了05微米，而晶片尺寸则由4英寸提高到6英寸、8英寸。

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